Modulare Ultrakurzpuls-
laser-Technologie

21. Seminar "LEF - Laser in der Elektronikproduktion & Feinwerktechnik"

06./07. März 2018, Fürth

Jenoptik - nozzle drilling overview

LASER World of Photonics CHINA in Shanghai

14. - 16. März 2018

Jenoptik - SiN TF removal

1. Netzwerktreffen 2018 UKPL Phase 3

12./13.04.2018, Laser Zentrum Hannover
Gemeinsames Netzwerktreffen mit „Photonische Prozesskette & Industrie 4.0“ am 12.04.2018

ELEKTRONIK

Bearbeitung von Leiterplatten

Insbesondere im Bereich der Unterhaltungselektronik wachsen Bedeutung und Ansprüche an elektronische Leiterplatten. Die Leiterplatten müssen mehrere Schichten Leiterbahnen bei gleichzeitig geringer Dicke aufweisen. Für die Verbindung der Schichten werden sogenannte Microvias benötigt, feine, mit Kupfer galvanisierte Bohrlöcher. Diese können in besonderer Weise mit UKP-Lasern erzeugt werden. Der Vorteil der UKP-Laser liegt dabei in der Fähigkeit, verschiedenste Materialien durch die hohe Intensität der Laserpulse zu verdampfen. Damit können alle bei der Fertigung von Leiterplatten eingesetzten Materialien im einem Prozessschritt bearbeitet werden.

Leiterzüge aus Gold auf einem PMMA-Substrat (Medizintechnik) (3D-Micromac AG ©)
UKP-gebohrte Polyimid-Leiterplatte
(TRUMPF ©)

Abtrag dünner Schichten

Der Abtrag dünner Schichten spielt in vielen verschiedenen Bereiche der Industrie eine wichtige Rolle. Beispiele für Anwendungsgebiete sind der Abtrag dünner Schichten auf thermisch und/oder mechanisch sensiblen Trägermaterialen oder der Schichtabtrag bei Kupfer-Indium-Gallium-Diselenid (CIGS)-Dünnschicht-Solarzellen. Die herausragenden Vorteile von UKP-Lasern liegen hierbei in der minimalen Wärmeeinflusszone sowie der Möglichkeit selektiv einzelne Schichten mit hoher Präzision abzutragen. Daneben hat auch die, durch den Einsatz von UKP-Lasern erzielbare Prozessgeschwindigkeit eine große Bedeutung.

Dünnschichtabtrag ITO-MAM auf Glas
(Fraunhofer ILT ©)
Laserstruktrurierter Graben eines CIGS-Dünnschichtmoduls (3D-Micromac AG ©)
selektiver Abtrag einer 80 nm SiN-Beschichtung
(JENOPTIK Laser GmbH ©)
 

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